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                            4n65场效应管代换型号KND4365A漏源击穿电压为650V,漏极电流4A,极低导通电阻RDS(开启) 2Ω,最大限度地减少导电损耗,有效降低损耗,提高电路效率;还具有快速切换能力、经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力在电路切换时快速响应,能够在高频率下稳定工作,性能...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6013.html         2025-11-04
                            
                         
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                            恒压电源:输出电压固定,电流根据欧姆定律(I=V/R)随负载电阻变化。适用于需稳定电压的场景,如电子设备供电、通信系统和实验室仪器。恒流电源:输出电流固定,电压根据欧姆定律(V=I×R)随负载电阻变化。适用于需精确电流控制的场景,如LED驱动、电池充...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6012.html         2025-11-04
                            
                         
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                            LED灯采用恒流驱动是因为其独特的电学特性和发光机制。与白炽灯、荧光灯等负载不同,LED的伏安特性曲线呈现出典型的 “非线性” 特征:当正向电压达到导通阈值后,微小的电压变化就会引发剧烈的电流波动。例如,普通白光 LED 的导通电压通常在 3.0-3.6V 之间,...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6011.html         2025-11-04
                            
                         
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                            恒压电源:输出电压固定,电流根据欧姆定律(I=V/R)随负载电阻变化。适用于需稳定电压的场景,如电子设备供电、通信系统和实验室仪器。恒流电源:输出电流固定,电压根据欧姆定律(V=I×R)随负载电阻变化。适用于需精确电流控制的场景,如LED驱动、电池充...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6010.html         2025-11-04
                            
                         
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                            KND4360A场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流4A,采用先进的沟槽技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.9Ω,最大限度地减少导电损耗,表现出卓越的导通特性;还具有快速切换能力,提高效率,经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力能够更好地应对电路中的快速变化,能...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6009.html         2025-11-03
                            
                         
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                            欧姆(Ω)是国际单位制中电阻的标准单位,用于量化导体对电流的阻碍作用。常用换算单位包括毫欧(mΩ)、千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)等,单位间转换遵循千进制规则。
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6008.html         2025-11-03
                            
                         
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                            RC充电的通用公式:Vt=V0+(V1-V0) *[1-exp(-t/RC)]Vt:t时刻电容电压(单位:伏特V)。V0:充电初始电压(单位:伏特V)。V1:充电最终电压(单位:伏特V)。exp:以自然常数e为底的指数函数。t:时间(单位:秒s)。
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6007.html         2025-11-03
                            
                         
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                            KND3706A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流50A,采用先进的高密度沟槽技术制造,为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS(导通)和栅极电荷性能。具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ,最大限度地减少导电损耗,提高效率;超低栅极电荷、100%EAS认证、卓越的Cdv/d...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6006.html         2025-10-31
                            
                         
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                            当主功率放大器的输出端直流电压为0V时,VT1管因为没有偏置电压而截止;VT2管发射极和基极电压都为0V,VT2管截止;因为VT2管截止,VT3管基极电流没有回路,所以使VT3也截止;VT3管截止,其发射极电压高,使VT4管基极电压高,VT4管是PNP型三极管,所以VT4管也截...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6005.html         2025-10-31
                            
                         
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                            电源类型:可分为电池供电(如锂电池)或电源适配器供电。电池供电时需配合充电管理芯片,功放芯片多采用D类放大芯片以实现大音量输出。电压稳定:部分电路通过PI型滤波电路(由电容、电阻组成)稳定电压,防止电压波动损坏芯片。
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6004.html         2025-10-31
                            
                         
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                            KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET,漏源击穿电压800V,漏极电流18A,低导通电阻RDS(on) 205mΩ,超低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,能够减少功耗并提高效率;具有高耐压特性和低电阻特性,超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,抗冲击能力强...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/5896.html         2025-10-30
                            
                         
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                            KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件,通过优化芯片结构实现低内阻、高抗浪涌能力和快速开关特性。80r240?漏源击穿电压800V,漏极电流18A,低导通电阻RDS(on) 205mΩ,超低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,提高效率;还具有高耐压...
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6003.html         2025-10-30
                            
                         
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                            无线充电的基本原理就是常用的开关电源原理,区别在于没有磁介质耦合,需要利用磁共振的方式提高耦合效率,具体方法是在发送端和接收端线圈串并联电容,是发送线圈处理谐振状态,接收端线圈也是如此。
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6002.html         2025-10-30
                            
                         
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                            车载USB充电器是插在汽车的点烟器上工作的 ,点烟器的直流电压是由汽车上蓄电池供应的。小轿车、SUV点烟器上的电是压是DC12V,大型车点烟器上的电是压是DC24V。因此设计车载USB充电器输入电压要12-24VDC宽电压输入,以达到大小汽车通用。
 
                                                        
                                
                                www.kiaic.com/article/detail/6001.html         2025-10-30